Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    50 left arrow 51
    Intorno 2% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.3 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.9 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    50 left arrow 51
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.3 left arrow 10.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.9 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2512 left arrow 2286
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti