RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
50
En -32% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
1999
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link