RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
8.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
50
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
8.7
Скорость записи, Гб/сек
10.9
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
1999
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD AE32G1339U1 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link