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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Compara
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2824
2803
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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