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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
15.8
15.7
写入速度,GB/s
11.9
11.9
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2824
2803
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
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