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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
2479
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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