RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2479
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link