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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
AMD R948G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R948G3206U2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2987
3320
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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