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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
总分
AMD R948G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R948G3206U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
13.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2987
3320
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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