RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR3
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2987
2282
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link