RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
13.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
13.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2987
3075
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link