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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
13.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
37
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
3075
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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