RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3310
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link