RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3310
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link