RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
16.0
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link