RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Compara
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
12.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.4
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2660
3448
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link