RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Compara
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2434
2656
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link