RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
63
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2656
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link