RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Compara
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
55
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
51
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2701
2778
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link