RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
24
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3437
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link