RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
10.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
3437
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link