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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
58
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
58
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2504
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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