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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2586
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2133U2S 8GB
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