RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2586
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link