RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2586
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link