RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3692
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link