RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2635
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link