RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2579
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link