RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3337
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link