RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2945
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link