RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2945
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link