RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
25.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
25.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
21.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
4252
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link