RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
21.4
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
25.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
21.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
4252
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link