RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
67
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
67
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2027
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link