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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
67
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
67
读取速度,GB/s
15.5
17.1
写入速度,GB/s
12.0
9.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2027
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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