RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston HX421C14FB/4 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2730
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link