RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3136
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link