RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3136
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link