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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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