RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1881
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link