RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1881
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link