RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1881
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
AMD R538G1609U1K 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link