RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2317
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link