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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2946
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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