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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3635
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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