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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
19.8
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3635
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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