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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lenovo 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Lenovo 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Lenovo 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
50
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lenovo 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lenovo 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
50
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2951
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Lenovo 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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