RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2082
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link