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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3120
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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