RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3120
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link