Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB против Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 30

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.8 10.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 8500

Около 1.25% выше полоса пропускания

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.8 6.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 30
Скорость чтения, Гб/сек

10.8 10.6
Скорость записи, Гб/сек

6.5 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 8500

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1066 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1953 1479

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM